CD034
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DESCRIPCIÓN DEL PRODUCTO:
TRANSISTOR TPC8213-H
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100 UNIDADES
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PARA HACER COMPRAS O CONSULTAS
APLICACIONES :
EL G4BC20UD ES IDEAL PARA DIVERSAS APLICACIONES EN SISTEMAS DE CONTROL
DE POTENCIA Y CONMUTACIÓN, TALES COMO:
CONTROLADORES DE MOTORES: USADO EN CONTROLADORES DE MOTORES
ELÉCTRICOS DE CORRIENTE CONTINUA Y ALTERNA, ESPECIALMENTE EN
APLICACIONES INDUSTRIALES Y AUTOMOTRICES.
CONVERTIDORES DE POTENCIA Y FUENTES DE ALIMENTACIÓN: IDEAL PARA
FUENTES DE ALIMENTACIÓN CONMUTADAS, INVERSORES Y CONVERTIDORES DC-
DC.
VENTAJAS :
ALTA EFICIENCIA: LA COMBINACIÓN DE LAS CARACTERÍSTICAS DE LOS
TRANSISTORES BIPOLARES Y DE EFECTO DE CAMPO PERMITE UNA ALTA
EFICIENCIA EN APLICACIONES DE CONMUTACIÓN RÁPIDA.
BAJA DISIPACIÓN DE CALOR: LA BAJA CAÍDA DE VOLTAJE DE SATURACIÓN REDUCE
LA PÉRDIDA DE ENERGÍA, LO CUAL MINIMIZA LA GENERACIÓN DE CALOR Y
PERMITE UN FUNCIONAMIENTO MÁS EFICIENTE.
CONMUTACIÓN RÁPIDA: APTO PARA APLICACIONES QUE REQUIEREN UNA RÁPIDA
RESPUESTA EN LA CONMUTACIÓN, LO CUAL ES IDEAL PARA FUENTES DE
ALIMENTACIÓN CONMUTADAS Y OTROS SISTEMAS DE POTENCIA.
TAMAÑO COMPACTO Y FACILIDAD DE MONTAJE: SU ENCAPSULADO TO-220
PERMITE UNA FÁCIL INTEGRACIÓN EN PLACAS DE CIRCUITO Y UNA EFICIENTE
DISIPACIÓN DEL CALOR CON DISIPADORES.
ROBUSTEZ Y DURABILIDAD: DISEÑADO PARA SOPORTAR CONDICIONES DE CARGA
EXIGENTES EN APLICACIONES INDUSTRIALES, LO CUAL GARANTIZA UNA ALTA
FIABILIDAD.
PARA MÁS INFORMACIÓN O CONSULTAS, COMUNÍQUESE CON NUESTRO
DEPARTAMENTO DE VENTAS.
DESCRIPCIÓN :
EL TPC8213‑H ES UN ARREGLO DE DOS MOSFETS CANAL N DE NIVEL LÓGICO, FABRICADO POR
TOSHIBA SEMICONDUCTOR. FORMA PARTE DE LA FAMILIA U‑MOSIII, DISEÑADA PARA
CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD, EFICIENCIA EN CONVERSIÓN (COMO EN FUENTES DC/DC
DE NOTEBOOKS Y EQUIPOS PORTÁTILES), Y ALTO RENDIMIENTO EN ESPACIOS REDUCIDOS
CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES :
TIPO: MOSFET CANAL N (DUAL), NIVEL LÓGICO (LOGIC-LEVEL GATE)
TENSIÓN DRENAJE‑FUENTE (V DSS): 60 V
CORRIENTE CONTINUA DE DRENAJE (I D): HASTA 5 A POR CANAL (A 25 °C)
R DS(ON): TÍPICA ~40 MΩ CON V GS = 10 V; MÁXIMO ~50 MΩ
TENSIÓN DE UMBRAL (V GS(TH)): ENTRE 1.1 Y 2.3 V (ID = 1 MA)
CARGA DE PUERTA (Q G): APROXIMADA 11 NC A V GS = 10 V
CAPACITANCIA DE ENTRADA (C ISS): HASTA 625 PF A V DS = 10 V
ENERGÍA DE AVALANCHA (E AS): 90 MJ
CORRIENTE DE PULSO (I DP): HASTA 20 A
TEMPERATURA DE OPERACIÓN DE UNIÓN: HASTA 150 °C
DISIPACIÓN DE POTENCIA (P D): 1.5 W (MODO DE UN SOLO DISPOSITIVO)
PAQUETE: SMD, SOP‑8 (8‑SOP DE 5.5 × 6.0 MM)
ESTADO: OBSOLETO; YA NO SE FABRICA
APLICACIONES TÍPICAS
ESTE COMPONENTE SE ADAPTA BIEN A APLICACIONES QUE DEMANDAN CONMUTACIÓN
RÁPIDA, EFICIENCIA ENERGÉTICA Y MINIATURIZACIÓN, COMO:
CONVERTIDORES DC/DC (BUCK, BOOST) PARA EQUIPOS PORTÁTILES Y NOTEBOOKS
CONTROLADORES DE MOTOR (PUENTES H), ROBÓTICA O SISTEMAS AUTOMOTRICES LIGEROS
CONTROLADORES E INVERSORES (UPS, ENERGÍA RENOVABLE)
CONTROL DE LEDS (DRIVERS) Y SISTEMAS DE ILUMINACIÓN AVANZADA
GESTIÓN DE BATERÍAS (BMS), AMPLIFICADORES DE AUDIO CLASE D, Y FUENTES CONMUTADAS
EN GENERAL
VENTAJAS DESTACADAS :
ALTA EFICIENCIA DE CONMUTACIÓN R DS(ON) BAJA (~40 MΩ) JUNTO CON CARGA DE
PUERTA REDUCIDA PERMITEN CONMUTACIÓN VELOZ Y BAJAS PÉRDIDAS.
CAPACIDAD DUAL INTEGRADA DOS MOSFET EN UN MISMO PAQUETE SOP‑8, OPTIMIZANDO
ESPACIO PCB.
SOPORTE ROBUSTO DE CARGA/PULSO CORRIENTE DE HASTA 5 A CONTINUA Y PICOS DE
20 A, JUNTO CON ENERGÍA DE AVALANCHA DE 90 MJ.
OPERACIÓN A NIVEL LÓGICO ACTUACIÓN DIRECTA DESDE MICROCONTROLADORES (V GS
UMBRAL BAJO).
TOLERANCIA TÉRMICA HASTA 150 °C DE UNIÓN, IDEAL PARA ENTORNOS EXIGENTES.
FORMATO COMPACTO SMD AHORRO DE ESPACIO Y FACILIDAD DE MONTAJE
AUTOMATIZADO.
NOTA IMPORTANTE
ESTE MOSFET ESTÁ OBSOLETO (EOL), ASÍ QUE SI NECESITAS PIEZAS PARA PRODUCCIÓN O
MANTENIMIENTO, ES RECOMENDABLE BUSCAR REEMPLAZOS COMPATIBLES, COMO LOS
SUGERIDOS POR DIGIKEY: STS4DNF60L, STS5DNF60L, ZXMN6A25DN8TA, ENTRE OTROS
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